УСЛУГИ ПО ПРОИЗВОДСТВУ ЧИПОВ И ПЛАСТИН

Наше предприятие располагает современным оборудованием для оптической литографии с длиной волны до 365 нм. Наши технологические возможности в области литографии:

• Нанесение фоторезиста центрифугированием и спреем
• Нанесение пассивирующих материалом методом центрифугирования
• Проекционная литография: 365 нм (толко пластины с диаметром 150 мм
• Контактная литография: полноспектральная, 365 нм, совмещение по лицевой и обратной сторонам, совмещение по ИК-меткам

На оборудовании производства EVG, а также на машинах специальной разработки мы можем осуществлять процессы сварки полупроводниковых пластин друг с другом самыми разнообразными методами. Данная услуга достпуна как для пластин 100 мм, так и 150 мм. Полупроводники разной природы, стекло и полимеры обрабатываются в разных камерах, если их подвергают нагреву до температуры выше 150°C. Перед сваркой пластины могут быть оптически совмещены, что позволяет создавать сложные трёхмерные сборки. Доступные технологии сварки приведены ниже:

• Гидрофильное соединение: SiO₂/Si, SiO₂/SiO₂
• Гидрофильное соединение с плазменной активацией
• Гидрофобное соединение в сверхвысоком вакууме: Si/Si, Si/A3B5, Al/Al
• Анодное соединение: Si/стекло
• Соединение через стеклянную фритту
• Соединение через металлы: эвтектики Au-Si, Au-Sn, Pb-Sn
• Соединение через полимеры: фоторезисты, BCB

В нашем распоряжении находятся несколько машин для осуществления процесса PVD, что позволет нам осуществлять формирование тонких плёнок всеми доступными методами физического осаждения. Мы постоянно поддерживаем складской запас высокочистых металлов для напыления, что позволяет нам формировать плёнку практически любого металла, используемого в микротехнологиях:

• Магнетронное распыление: Ti, Al, Cu, Au
• Термовакуумное испарение: V, Cr
• Электронно-лучевое испарение: V, Cr, Ti, Cu, Al, W, Fe, Ni, Co, Zr, Mo, Au, Ag, Pt, Pd, Ru, Ir
• На этом список металлов, возможных к использованию не ограничен. Пожалуйста свяжитесь с нами для обсуждения возможности формирования тонкой плёнки нужного Вам металла или сплава.

Нашими специалистами была успешно освоена технология атомно-слоевого осаждения металлов и диэлектриков, что позволяет нам заполнять канавки глубиной до 500 мкм с аспектным отношением 1:10. Это позволяет нам формировать вакуумные контакты к высокоточным чувствительным элементам МЭМС, а также создавать выводы с минимальным удельным сопротивлением для 3D-интегрированных систем. На сегодняшний день мы готовы предложить нашим заказчикам следующие процессы:

• ALD диэлектриков: Al₂O₃, Si₃N₄, SiO₂, HfO₂
• ALD металлов: Ir, Ru, Cu

Мы осуществляем окисление кремния толщиной от 50 нм до 4 мкм. Большое количество труб позволяет нам реализовывать различные толщины оксида и реализовывать окисление в разных режимах (влажное, сухое, с добавлением хлора)

Мы располагаем оборудованием для осаждения стандартных слоёв диэлектриков, используемой в кремниевой технологии. Реализация процесса возможна с использованием как LP CVD, так и PE CVD с различными газами-прекурсорами. В ряде приложений, где требуется создать покрытия с высокой конформностью покрытия стенок, мы используем жидкие прекурсоры в виде TEOS. Характеристика получаемых плёнок представлены ниже:

• LP CVD SiO₂: 0.1-5.0 мкм
• LP CVD Si₃N₄: 20-500 нм
• PE CVD SiO₂: 0.1-5.0 мкм
• LP CVD Si_xN_y: 0.1-2.5 мкм

Для заполнения сквозных выводов а кремниевых пластиинах, а также для формирования шариковых и столбиковых выводов нами используются процессы гальванического осаждения следующих металлов: Cu, Au, Sn, Pb, Ni. Также мы активно используем технологии иммерсионного осаждения тонких слоёв Ni и Au, в т.ч. на поверхности диэлектриков. 

Среди используемых реагентов мы постарались уйти максимально далеко от опасных цианидов, что делает наше производство экологичным. За один процесс мы можем формировать слоистые структуры Cu/Sn/Ag, Pb/Sn, Au/Sn с точно контролируемым составом и толщиной, что используется при создании шариковых выводов. За один процесс может быть сформирован слой металла толщиной до 100 мкм. По запросу доступны большие толщины.

Мы успешно разработали и внедрили в стандартный технологический процесс инструменты для ПХТ диэлектриков и металлов: SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, Si, Al, Fe, Ni, Co. Тонкие плёнки диэлектриков травятся на глубину до 5 мкм с боковым уходом размера не более 0,1 мкм. Глубокое травление кремния (на глубины до 750 мкм) осуществляется с использованием Bosch-процесса с вертикальностью +/-0.3° и аспектным отношением 1:12. 

Аспектное отношение может быть увеличено до 1:50 с использованием процессов криогенного травления. Также наша компания располагает уникальным оборудованием и знаниями в области ПХТ кварца и боросиликатного стекла, что используется при создании сверх-компактных устройств микрофлюилики и 3D интеграции

Мы используем большой спектр оборудования для жидкостной химической обработки. Пластины могут подвергаться как травлению в ванной, так и индивидуальной обработке на оборудовании с системами распыления химических реагентов. Используемое оборудование позволяет осуществлять создание трёхмерных структур в кремнии с использованием технологии анизотропного травления в KOH. Тот же процесс реализуется нами для CMOS-совместимых пластин в TMAH. Оборудование для обработки строго разделено по зонам с использованием контейнеров со специальной маркировкой, что исключает перекрёстные загрязнения подложек нежелательными ионами. Полный перечень процессов жидкостного травления приведён ниже:

• ЖХТ металлов: V, Cr, Ti, Cu, Al, W, Fe, Ni, Co, Zr, Mo, Au, Ag
• ЖХТ диэлектриков: SiO₂, Borofloat 33, Si₃N₄
• АЖХТ: Si в KOH и TMAH

Мы обладаем высокопроизводительным оборудованием для утонения кремниевых пластин и их последующей химико-механической полировки. Системы точного контроля процесса позволяют нам получать пластины толщиной 50 мкм. В процессах ХМП мы достигаем шероховатости поверхности R_a<0.3 нм. Данные технологии вместе с измерительным оборудованием для контроля равномерности и толщины позволяют нам подготавливать пластины для производства КНИ и 3D интеграции, а также предлагать заказчикам сервисы по восстановлению пластин с уже нанесёнными технологическими слоями для использования в качестве test wafers.

Для легирования при производстве изделий микроэлектроники мы используем несколько ионных имплантеров, и установок для проведения высокотемпературных процессов до температуры 1200°C. Нашим заказчикам доступны следующие процессы:

• Ионная имплантация бора
• Ионная имплантация фосфора
• Ионная имплантация мышьяка
• Ионная имплантация сурьмы
• Диффузия бора
• Диффузия фосфора
• Диффузия из планарных источников

В отличие от многих предприятий, специализирующихся на узком наборе технологических операций, мы предлагаем нашим заказчикам уникальную возможность использования технологий толстых плёнок на полупроводниковых пластинах. С помощью трафаретной печати мы можем формировать плёнки стекла, проводящих паст на основе серебра и других драгоценных металлов, плёнки высокопористых геттеров для вакуумного корпусирования. При трафаретной печати мы используем как металлические трафареты, так и сетотрафареты, что позволяет нам формировать геометрические рисунки из паст практически любой сложности. 

Мы обладаем специальным оборудованием для осуществления термических процессов после печати, которое не задействуется в полупроводниковом производстве. На этом оборудовании осуществляются процессы спекания пасты, глазурования стекла, оплавления припоя. В некоторых случаях после формирования толстых плёнок стекла возможно проведение процесса дополнительной полировки пластин, что позволяет нам реализовывать технологию толстоплёночной анодной сварки для МЭМС.

Для резки пластин на кристаллы в большинстве случаев используется стандартная технология с алмазным диском и водяным охлаждением. Однако для резки малых кристаллов или особо чувствительных структур используется технология плазмохимического разделения. В этом случае пластина с кристаллами на плёнке подвергается дополнительным технологическим операциям перед доставкой заказчику или тестированием. Специльные защитные полимеры, а также хорошо отлаженный стабильный процесс позволяет достичь очень низкой дефектности при разделении пластин на кристаллы.

Мы готовы предложить нашим заказчикам широкий спектр возможных решений для герметизации их устройств. При создании микросхем с шариковыми выводами мы готовы предложить самые современные методы корпусирования, такие как FOP или корпусирование на уровне пластины. Наряду с этим мы обладаем возможностью реализовывать стандартные методы корпусирования с использованием монтажа кристалла на клей или припой в форме пасты либо преформ с последующей разваркой контактных площадок золотой, медной или алюминиевой проволокой. С помощью ресурсов нашей компании возможно производство пластин с одним и тем же изделием под разные методы корпусирования, либо формирование RDL/bumps на пластине, изготовленной для корпусирования с использованием разварки.

Для герметизации мы предлагаем широкий спектр корпусов: LCP-полимеры, LTCC, HTCC, molded packages. Существует возможность герметизации крышки корпуса с помощью шовно-роликовой сварки, пайки, с использованием полимера. Для заказчиков доступны множество опций по созданию внутри корпуса контролируемой среды, такой как инертный газ или вакуум с встроенным в крышку газопоглотителем.

Обладая высококлассным оборудованием для сварки пластин мы можем предложить нашим заказчикам высококачественные КНИ пластины со следующиеми характеристиками:

• Диаметры: 100, 150 мм
• Толщина приборного слоя: 5-525 мкм
• Скрытый оксид: термический, пиролитический
• Толщина слоя скрытого оксида: 0.1-8.0 мкм
• Кромка: 3 мм

Также мы производим пластины с канавками С-SOI с параметрами канавок:

• Глубина: 5-250 мкм
• Угол наклона боковых стенок: +/-0.5°
• Максимальная ширина: 20000 мкм (зависит от толщины приборного слоя)

Также для заказа возможны КНИ с двойным приборным слоем, со скрытой ионной имплантацией и КСДИ с диэлектрической изоляцией из стекла

Наша компания имеет опыт изготовления микрофлюидных устройств для химических анализов, медицины и научных исследований. Мы готовы предложить заказчикам следующие материалы и технологии:

• Оптическое стекло Borofloat 33
• Кварц
• Кремний
• SU-8
• PDMS

Для обсуждения возможности изготовления Вашего изделия и для получения правил проектирования каналов пожалуйста свяжитесь с нами через раздел «Контакты».

Исторически устройствами, для которых мы осваивали первые технологические процессы являлись МЭМС. Поэтому мы имеем огромный опыт работ в этой области для создания чувствительных элементов датчиков с использованием следующих ключевых технологичсеких кластеров

• Surface micromachining
• Bulk micromachining
• Wafer level packaging
• High vacuum encapsulation
• Delicate singulation

Для обсуждения возможности изготовления Вашего изделия и для получения правил проектирования изделий МЭМС пожалуйста свяжитесь с нами через раздел «Контакты».